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问题讨论与思考
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| 硅纳米线的表面掺杂效应及应用 |
| 廖凡, 黄慧, 康振辉, 刘阳, 邵名望* |
| 苏州大学纳米科学技术学院 苏州大学功能纳米与软物质研究院 江苏苏州 215123 |
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| The Surface Doping Effect of Silicon Nanowires and Its Application |
| LIAO Fan, HUANG Hui, KANG Zhen-Hui, LIU Yang, SHAO Ming-Wang* |
| College of Nano Science & Technology, Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou 215123, China |
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摘要：纳米材料具有较大的比表面积,表现出与块体材料不同的性质。通过实验证明氢负载的硅纳米线能够加速铜氧化过程。这一过程可以用表面掺杂效应进行解释。这种由于尺寸的减小引起化学性质改变的现象——表面掺杂,有望能够在化学的各个领域得到广泛应用。
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| 关键词： 铜,
氧化,
硅纳米线,
表面掺杂
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通讯作者:
*E-mail:mwshao@suda.edu.cn
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| 引用本文: |
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廖凡, 黄慧, 康振辉, 刘阳, 邵名望. 硅纳米线的表面掺杂效应及应用[J]. 化学教育（中英文）, 2020, 41(8): 105-107
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Zhu Lili, Lin Haiping, Li Youyong, et al. Nature Communications, 2016, DOI:10.1038/ncomms12272
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| [2] |
Shao Mingwang, Cheng Liang, Zhang Xiaohong, et al. Journal of the American Chemical Society, 2009, 131:17738-17739
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| [3] |
Shao Mingwang, Shan Yueyue, Wong Ningbew, et al. Advanced Functional Materials, 2005, 15:1478-1482
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| [4] |
Liao Fan, Liu Shanshan, Shao Mingwang, et al. Applied Physics Letters, 2012, DOI:10.1063/1.3691943
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